我國(guó)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)路人、九三學(xué)社社員、中國(guó)科學(xué)院院士、電子科技大學(xué)教授陳星弼因病醫(yī)治無(wú)效，12月4日17時(shí)10分在四川成都逝世，享年89歲。

陳星弼1931年1月28日出生于上海，祖籍浙江浦江，1947年至1952年就讀于同濟(jì)大學(xué)電機(jī)系，先后在廈門大學(xué)、東南大學(xué)和成都電訊工程學(xué)院(現(xiàn)電子科技大學(xué))工作。1999年當(dāng)選為中國(guó)科學(xué)院院士，2019年當(dāng)選為國(guó)際電氣與電子工程師協(xié)會(huì)終身會(huì)士(IEEE Life Fellow)。

陳星弼是我國(guó)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)路人和集大成者。他發(fā)表超過200篇學(xué)術(shù)論文，獲得中美等國(guó)專利授權(quán)40余項(xiàng)。他是國(guó)際上首個(gè)提出超結(jié)耐壓層理論的科學(xué)家，他的超結(jié)發(fā)明專利打破傳統(tǒng)“硅極限”，被國(guó)際學(xué)術(shù)界譽(yù)為"高壓功率器件新的里程碑"。該發(fā)明專利成功轉(zhuǎn)讓并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，目前超結(jié)器件全球年市場(chǎng)銷售額超過10億美元。陳星弼曾獲得諸多榮譽(yù)，包括國(guó)家發(fā)明獎(jiǎng)及科技進(jìn)步獎(jiǎng)2項(xiàng)，省部級(jí)獎(jiǎng)勵(lì)13項(xiàng)。2015年獲得IEEE ISPSD頒發(fā)的最高榮譽(yù)“國(guó)際功率半導(dǎo)體先驅(qū)獎(jiǎng)”，成為亞太地區(qū)首位獲此殊榮的科學(xué)家。2018年入選IEEE ISPSD首屆名人堂，成為首位入選名人堂的華人科學(xué)家。

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