在第三代半導體的商業(yè)化道路上，日本廠商又添了一把力。

東芝近日官網宣布，第三代SiC MOSFET(碳化硅場效應管)計劃在今年8月下旬開始量產。據了解，該新產品使用全新的器件結構，具有低導通電阻，且開關損耗與第二代產品相比降低了約20%。

東芝的第二代SiC MOSFET量產于2020年8月。今年一季度，東芝宣布在內部生產用于功率半導體的SiC外延片，并且投資55億用于功率器件擴產，包括建設8英寸的碳化硅和氮化鎵生產線。

東芝表示，未來這種“外延設備+外延片+器件”的IDM模式，有利于他們搶占鐵路、海上風力發(fā)電、數據中心以及車載等市場。

▍SiC商業(yè)化進程加速 本土廠商靠新能源車、光伏贏得入場機會

SiC在高壓、高功率應用場景下性能優(yōu)越，適用于600V以上高壓場景，因此電動車及光伏等熱門場景對SiC的需求相當旺盛。Wolfspeed、英飛凌以及意法半導體等多家國外企業(yè)已經陸續(xù)宣布擴產。

從競爭格局上看，目前海外龍頭(Wolfspeed、II-VI占據60%以上市場份額)已實現6英寸規(guī)?；?、向8英寸進軍。國產廠家(天岳先進(99.70 +2.64%,診股)、天科合達、晶盛機電(70.44 +0.21%,診股)、露笑科技(14.86 +0.34%,診股)等)以小尺寸為主、向6英寸進軍。

性價比是決定SiC器件大批量使用的關鍵，襯底制備為SiC性價比提升的核心，也是技術壁壘最高環(huán)節(jié)。

國內碳化硅襯底龍頭天岳先進在近期宣布簽訂14億元大單。就此，中金證券近日發(fā)布研報稱，這從一定程度上體現出SiC器件滲透率呈現快速提升，產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)市場規(guī)模有望迎來快速成長期，另一方面也反映出國內材料企業(yè)在N型SiC導電型襯底方面的技術實力及產能規(guī)模都在不斷增強。SiC行業(yè)的落地在今年內已開始呈明顯加速趨勢。

中金公司(41.63 -0.12%,診股)則稱，在新能源車、光伏發(fā)電等重點行業(yè)終端出貨量快速成長，疊加SiC滲透率提升且短期內器件價格降幅有限的背景下，2022-2024年SiC器件市場規(guī)模有望迎來增速最快的三年周期。

該機構分析師進一步表示，中國相關供應商雖起步較晚，但得益于新能源車、光伏逆變器本土品牌商市場份額提升，國內企業(yè)獲得了入場機會，國內SiC器件供應商有望把握本土化機會，復制硅基IGBT時代輝煌，擁有全產業(yè)一體化(材料、制造、封測)能力的企業(yè)存在著更大的競爭優(yōu)勢，建議關注三安光電(23.03 +1.94%,診股)、斯達半導(412.13 +3.42%,診股)、華潤微(54.10 +1.20%,診股)等上市公司以及部分技術領先的未上市企業(yè)。

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