在第三代半導(dǎo)體的商業(yè)化道路上，日本廠商又添了一把力。

東芝近日官網(wǎng)宣布，第三代SiC MOSFET(碳化硅場效應(yīng)管)計劃在今年8月下旬開始量產(chǎn)。據(jù)了解，該新產(chǎn)品使用全新的器件結(jié)構(gòu)，具有低導(dǎo)通電阻，且開關(guān)損耗與第二代產(chǎn)品相比降低了約20%。

東芝的第二代SiC MOSFET量產(chǎn)于2020年8月。今年一季度，東芝宣布在內(nèi)部生產(chǎn)用于功率半導(dǎo)體的SiC外延片，并且投資55億用于功率器件擴產(chǎn)，包括建設(shè)8英寸的碳化硅和氮化鎵生產(chǎn)線。

東芝表示，未來這種“外延設(shè)備+外延片+器件”的IDM模式，有利于他們搶占鐵路、海上風(fēng)力發(fā)電、數(shù)據(jù)中心以及車載等市場。

▍SiC商業(yè)化進程加速 本土廠商靠新能源車、光伏贏得入場機會

SiC在高壓、高功率應(yīng)用場景下性能優(yōu)越，適用于600V以上高壓場景，因此電動車及光伏等熱門場景對SiC的需求相當旺盛。Wolfspeed、英飛凌以及意法半導(dǎo)體等多家國外企業(yè)已經(jīng)陸續(xù)宣布擴產(chǎn)。

從競爭格局上看，目前海外龍頭(Wolfspeed、II-VI占據(jù)60%以上市場份額)已實現(xiàn)6英寸規(guī)?；?yīng)、向8英寸進軍。國產(chǎn)廠家(天岳先進(99.70 +2.64%,診股)、天科合達、晶盛機電(70.44 +0.21%,診股)、露笑科技(14.86 +0.34%,診股)等)以小尺寸為主、向6英寸進軍。

性價比是決定SiC器件大批量使用的關(guān)鍵，襯底制備為SiC性價比提升的核心，也是技術(shù)壁壘最高環(huán)節(jié)。

國內(nèi)碳化硅襯底龍頭天岳先進在近期宣布簽訂14億元大單。就此，中金證券近日發(fā)布研報稱，這從一定程度上體現(xiàn)出SiC器件滲透率呈現(xiàn)快速提升，產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)市場規(guī)模有望迎來快速成長期，另一方面也反映出國內(nèi)材料企業(yè)在N型SiC導(dǎo)電型襯底方面的技術(shù)實力及產(chǎn)能規(guī)模都在不斷增強。SiC行業(yè)的落地在今年內(nèi)已開始呈明顯加速趨勢。

中金公司(41.63 -0.12%,診股)則稱，在新能源車、光伏發(fā)電等重點行業(yè)終端出貨量快速成長，疊加SiC滲透率提升且短期內(nèi)器件價格降幅有限的背景下，2022-2024年SiC器件市場規(guī)模有望迎來增速最快的三年周期。

該機構(gòu)分析師進一步表示，中國相關(guān)供應(yīng)商雖起步較晚，但得益于新能源車、光伏逆變器本土品牌商市場份額提升，國內(nèi)企業(yè)獲得了入場機會，國內(nèi)SiC器件供應(yīng)商有望把握本土化機會，復(fù)制硅基IGBT時代輝煌，擁有全產(chǎn)業(yè)一體化(材料、制造、封測)能力的企業(yè)存在著更大的競爭優(yōu)勢，建議關(guān)注三安光電(23.03 +1.94%,診股)、斯達半導(dǎo)(412.13 +3.42%,診股)、華潤微(54.10 +1.20%,診股)等上市公司以及部分技術(shù)領(lǐng)先的未上市企業(yè)。

關(guān)鍵詞： 半導(dǎo)體商業(yè)化 第三代半導(dǎo)體商業(yè)化進程加速 碳化硅場效應(yīng)管 第三代碳化硅場效應(yīng)管計劃8月下旬量產(chǎn)